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源漏極是和襯底以及溝道相反的摻雜類型（比如NMOS的源漏是N-Type，而襯底和溝道就是P-type）

Altera EP2S180F1020I4N

結構上面的柵極是低電阻的材料形成，他與襯底的溝道之間還要有個薄的柵氧化層

Altera EP4SGX230KF40I4N

MOSFET是四端結構，分別是柵極、源極、漏極、和襯底(Body)

Altera EP4SE530H40I4N

結構上面的柵極是低電阻的材料形成，他與襯底的溝道之間還要有個薄的柵氧化層

Altera EP3C16U256I7N

當柵極加電壓(NMOS加正電壓，PMOS加負電壓)，通過柵極氧化層感應一個電場加在了溝道表面

Altera EP2S90F1020I4N

源漏極是和襯底以及溝道相反的摻雜類型（比如NMOS的源漏是N-Type，而襯底和溝道就是P-type）

Altera EP4SGX230FF35I3N

通過柵極氧化層感應一個電場加在了溝道表面，所以襯底的少數載流子就被吸附到溝道表面累積并反型

UT5962-8957701XA

源漏極是和襯底以及溝道相反的摻雜類型（比如NMOS的源漏是N-Type，而襯底和溝道就是P-type）

XIlinx XC5VFX130T-2FFG1738I

當柵極加電壓(NMOS加正電壓，PMOS加負電壓)，通過柵極氧化層感應一個電場加在了溝道表面

Altera EP2S180F1020I4N

結構上面的柵極是低電阻的材料形成，他與襯底的溝道之間還要有個薄的柵氧化層

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